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簡(jiǎn)要描述：nanoplus 6000-14000nm QCL激光器產(chǎn)品主要應(yīng)用于基于可調(diào)諧激光吸收光譜的高靈敏度氣體分析。到目前為止，nanoplus激光器在50000多個(gè)裝置中可靠運(yùn)行，應(yīng)用包括發(fā)電廠、天然氣管道、過(guò)程控制、環(huán)境監(jiān)測(cè)、醫(yī)療分析、航空航天等。
產(chǎn)品型號(hào)：廠商性質(zhì)：代理商更新時(shí)間：2025-12-21訪 問(wèn) 量：100產(chǎn)品分類CLASSIFICATION
詳細(xì)介紹
| 品牌 | 其他品牌 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 組成要素 | 固體激光器產(chǎn)品及設(shè)備 | 產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) |
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工 |
德國(guó)nanoplus建立了DFB激光器技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)。近30年以來(lái)，nanoplus一直是超窄線寬分布式反饋DFB激光器的技術(shù)者。nanoplus DFB激光器的核心技術(shù)是采用了具有國(guó)際技術(shù)的側(cè)面金屬光柵，可以實(shí)現(xiàn)在760-14000nm范圍內(nèi)，任意中心波長(zhǎng)激光器的制造，滿足用戶在廣泛的光譜吸收線中選擇最合適的吸收線位置作為激光器的中心波長(zhǎng)。分布式反饋DFB激光器具有光學(xué)性能的單模發(fā)射，可以提供高性能的近紅外和中紅外單模激光器。把760-14000nm按不同的波長(zhǎng)范圍分成760-2900nm DFB激光器、2800-6500nm DFB-ICL激光器，6000-14000nm DFB-QCL激光器。
nanoplus 6000-14000nm QCL激光器產(chǎn)品主要應(yīng)用于基于可調(diào)諧激光吸收光譜的高靈敏度氣體分析。到目前為止，nanoplus激光器在50000多個(gè)裝置中可靠運(yùn)行，應(yīng)用包括發(fā)電廠、天然氣管道、過(guò)程控制、環(huán)境監(jiān)測(cè)、醫(yī)療分析、航空航天等。
nanoplus量子級(jí)聯(lián)激光器(QCL)提供6000 -14000nm之間任意中心波長(zhǎng)的單模量子級(jí)聯(lián)激光器(DFB-QCL)和多模量子級(jí)聯(lián)激光器（FP-QCL）。
nanoplus提供6000-14000nm之間任意中心波長(zhǎng)的單模量子級(jí)聯(lián)激光器(DFB-QCL)和多模量子級(jí)聯(lián)激光器（FP-QCL），
nanoplus 6000-14000nm QCL激光器之間的DFB-QCL量子級(jí)聯(lián)激光器通常工作在脈沖模式(脈沖寬度約100 ns)，可以在負(fù)15攝氏度到室溫及室溫以上環(huán)境產(chǎn)生中紅外輻射的激光，峰值輸出功率可以高達(dá)100mW以上，并可以通過(guò)改變電流和溫度的大小，實(shí)現(xiàn)寬調(diào)諧范圍。
產(chǎn)品具有以下主要特點(diǎn)：
很高的輸出功率
很好的波長(zhǎng)可調(diào)諧性
超寬的光譜范圍
很好的光譜穩(wěn)定性
非常高的光譜純度
QCL激光器的主要應(yīng)用服務(wù)包括：紅外通信、遠(yuǎn)距離探測(cè)、大氣污染監(jiān)控、工業(yè)煙塵分析、化學(xué)過(guò)程監(jiān)測(cè)、分子光譜研究、無(wú)損傷醫(yī)學(xué)診斷等方面。
以9800nm DFB-QCL激光器為例：
| 電子光學(xué)特性 （脈沖模式） | 符號(hào) | 單位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
| 波長(zhǎng) | λop | nm | 精確到0.1nm | ||
| 輸出光功率平均值 | Pavg | mW | 10 | ||
| 輸出光功率峰值 | Ppeak | mW | 200 | 5000 | |
| 工作電流 | Iop | mA | 2000 | ||
| 工作電壓 | Vop | V | 15 | ||
| 閾值電流 | Ith | mA | 1500 | ||
| 頻率 | f | KHz | 500 | ||
| 脈沖 | τ | ns | 100 | ||
| 占空比 | d.c. | % | 5 | ||
| 邊摸抑制比 | SMSR | dB | ＞30 | ||
| 電流調(diào)諧系數(shù) | Ci | nm/mA | 0 | 0.15 | |
| 溫度調(diào)諧系數(shù) | Ct | nm/K | 0.7 | ||
| 芯片工作溫度 | Top | ℃ | 20 | 45 | |
| 器件工作溫度 | Tc | ℃ | 20 | 30 | |
| 存儲(chǔ)溫度 | Ts | ℃ | 20 | 50 |
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